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• 游離磨料 –碳化矽(SiC)


sic photo

碳化矽是以石英砂和石油焦碳為主要原料,高溫治煉而成。呈多種結晶體,硬度高,性脆而鋒利,並具有一定的導電性和導熱性。適於切削多種不同金屬、非金屬材料。此外,還可製作高級耐火物等。

碳化矽(SiC),採用高品質的原物料製成,具有純度高、密度大、韌性值高、抗破碎性能好的特性,經過WEC嚴選,確保顆粒外型均一、嚴謹的細微性分佈、純淨的顆粒表面,確保品質優質化。

適合製造半導體材料線切割磨料及符合工業上廣泛的應用。包括精密機械加工, 切割(Sawing)、研磨(Grinding)、游離研磨(Lapping)、拋光(Polishing)及鏡面拋光(Super Finishing)。


物 理 特 性

 

Item Physical Characteristics
 基本礦物 Basic mineral  α-SiC
 晶系 Crystal system  六方體 Hexagonal
 色澤 Crystal Color  綠色 Green
 密度 Density  ≧/cm3
 莫氏硬度 Mohs hardness  9.15
 顯微硬度 Micro hardness  HV3280~3400
 耐磨能力 Grinding ability  0.28 (以鑽石為1作對比)
 線膨脹係數 Liner expansion coefficient  4.6 (when . 10E-6/K)
 比電阻Electrical Resistivity  3x10E6~3x10E7Ω.cm

產 品 規 格

 

粒度 MDWEC 研磨粉
粒度規格
日規標準
(JIS R6001-1998)
國際標準
ISO8486.2-1996
歐規標準
(FEPA-GB-1984)
 #800  20.8 ±2  14 ±1.0  6.5 ±1.0  6.3±1.0
 #1000  14.1 ±1  11.5 ±1.0  4.5 ±0.8  4.5±0.8
 #1200  12.8 ±1  9.5 ±0.8  3.0 ±0.5  3.1±0.5
 #1500  10.2±0.5  8.0 ±0.5 - -

 

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