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• 游离磨料 –碳化硅(SiC)


sic photo

碳化硅是以石英砂和石油焦碳为主要原料,高温治炼而成。呈多种结晶体,硬度高,性脆而锋利,并具有一定的导电性和导热性。适于切削多种不同金属、非金属材料。此外,还可制作高级耐火物等。

碳化硅(SiC),采用高质量的原物料制成,具有纯度高、密度大、韧性值高、抗破碎性能好的特性,经过WEC严选,确保颗粒外型均一、严谨的粒度分布、纯净的颗粒表面,确保质量优质化。

适合制造半导体材料线切割磨料及符合工业上广泛的应用。包括精密机械加工, 切割(Sawing)、研磨(Grinding)、游离研磨(Lapping)、抛光(Polishing)及镜面抛光(Super Finishing)。

 

物 理 特 性

 

Item Physical Characteristics
 基本矿物 Basic mineral  α-SiC
 晶系 Crystal system  六方体 Hexagonal
 色泽 Crystal Color  绿色 Green
 密度 Density  ≧/cm3
 莫氏硬度 Mohs hardness  9.15
 显微硬度 Micro hardness  HV3280~3400
 耐磨能力 Grinding ability  0.28 (以钻石为1作对比)
 线膨胀系数 Liner expansion coefficient  4.6 (when . 10E-6/K)
 比电阻Electrical Resistivity  3x10E6~3x10E7Ω.cm

产 品 规 格

 

粒度 MDWEC 研磨粉
粒度规格
日规标准
(JIS R6001-1998)
国际标准
ISO8486.2-1996
欧规标准
(FEPA-GB-1984)
 #800  20.8 ±2  14 ±1.0  6.5 ±1.0  6.3±1.0
 #1000  14.1 ±1  11.5 ±1.0  4.5 ±0.8  4.5±0.8
 #1200  12.8 ±1  9.5 ±0.8  3.0 ±0.5  3.1±0.5
 #1500  10.2±0.5  8.0 ±0.5 - -

 

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